shallow trench isolation半導體
2008年1月23日—電晶體即使有相同的W/L,也會因為電晶體Layout形狀不同,而受到不同的STI(shallowTrenchIsolation)機械應力,...在同一半導體基板上製做複數個元件時 ...,2023年7月5日—1.STI.SideshareEnglishversion;ShallowTrenchIsolation;其shallow是相對LOCOS來說;...
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